霍爾效應測試系統HET

霍爾效應測試系統HET是依據范德堡法測量材料的電運輸性能參數:載流子濃度遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或薄層材料均可測量，可應用于所有半導體材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可測量)，廣泛應用于國內高校、研究所、半導體、金屬、高熱導有機新材料等行業。

產品特點
1.采用高精密度恒流源和電壓表，確保儀器測試的良好準確度和高穩定性，性能*
2.自動控制磁場方向的改變，更加便捷準確

3.樣品裝夾快速方便，且使用能夠解決歐姆接觸的樣品芯片
4.產品采用一體化、精密化設計，融入人性化的設計理念，不僅測量精確而且操作方便
5.用戶界面操作簡單，功能齊全的軟件平臺帶給客戶友好的操作體驗，使測試過程更加方便快捷

應用功能
1.載流子類型鑒定:通過測量霍爾系數，可以確定電流攜帶者的類型，是正電荷的空穴還是負電荷的電子，從而獲得半導體或導體的電子結構和能帶特性
2.載流子濃度測量:霍爾系數與載流子濃度之間存在關系，因此通過測量霍爾系數，可以估計材料中載流子的濃度
3.遷移率評估:霍爾系數還可以用來計算載流子的遷移率，即電荷載流子在材料中移動的能力，從而對材料的電導率和電子遷移性等方面的深入研究
4.材料電性能評估:通過了解材料的電子結構、載流子類型、濃度和遷移率等信息，可以更全面地評估材料的電性能，為電子器件和電路設計提供重要參考

霍爾效應測試系統HET技術參數