晶體生產(chǎn)用超純水設(shè)備

晶體管主要材質(zhì)為半導體，從1947年被研制成功后，發(fā)展至今，被廣泛融入到生活當中。晶體管主要被用于開關(guān)、信號調(diào)試等領(lǐng)域。由于其半導體的材質(zhì)介于導電和不導電之間，因此晶體管的制備選用不導電的超純水。超純水設(shè)備操作簡單，占地面積小，運行過程中幾乎將水中的雜質(zhì)*除去，出水不導電，符合晶體管生產(chǎn)的用水需求，是電子行業(yè)的重要設(shè)備之一。 

晶體生產(chǎn)用超純水設(shè)備性能優(yōu)勢: 

1、日常保養(yǎng)，操作簡單、勞動強度低。 

2、無污染物排放，既環(huán)保又省去了廢液處理的投資。 

3、可連續(xù)，穩(wěn)定地生產(chǎn)高品質(zhì)純水，無需因樹脂再生而停機。 

設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，節(jié)約空間，同時還具有節(jié)能優(yōu)點。 

晶體生產(chǎn)用超純水設(shè)備污染物對設(shè)備效果的影響: 

　　1、氯和臭氧會氧化離子交換樹脂和離子交換膜，引起EDI組件功能減低。氧化還會使TOC含量明顯增加，污染離子交換樹脂和膜，降低離子遷移速度。另外，氧化作用使得樹脂破裂,通過組件的壓力損失將增加。鐵和其它的變價金屬離子可對樹脂氧化起催化作用，*地降低樹脂和膜的性能。 

　　2、對晶體管生產(chǎn)用超純水設(shè)備影響較大的污染物包括硬度離子、有機物、固體懸浮物、氧化劑和二氧化碳以及細菌等。設(shè)計超純水系統(tǒng)時應在超純水的預處理過程除掉這些污染物。在預處理中降低這些污染物的濃度可以提高超純水的性能。 

　　3、硬度離子能在反滲透和EDI單元中引起結(jié)垢。結(jié)垢一般在濃水室膜的表面發(fā)生，該處pH值較高。此時，濃水入水和出水間的壓力差增加，電流量降低。組件設(shè)計采取了避免結(jié)垢的措施，可使入水硬度降到小將會延長清洗周期并且提高超純水系統(tǒng)的利用率。懸浮物和膠體會引起膜和樹脂的污染和堵塞，樹脂間隙的堵塞導致EDI組件的壓力損失增加。 

　　4、二氧化碳有兩種效果。首先，CO32-和Ca2+、Mg2+形成碳酸鹽類結(jié)垢，這種垢的形成與給水的離子濃度和pH有關(guān)。其次，由于CO2的電荷與pH值有關(guān)，而其被RO和EDI的去除都依賴于其電荷，因此它的去除效率是變化的。即使較低的CO2都能顯著地降低產(chǎn)品水的電阻率。