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日立IGBT模塊MBN800E33D-P
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；電容；晶閘管；IPM模塊;半導體功率模塊;變頻器配件
地鐵機車變流器配件IGBT模塊MBN800E33D-P
產品參數：
IGBT 類型：溝槽型場截止
配置：半橋
電壓 - 集射極擊穿：3300 V
電流 - 集電極 (Ic)：800 A
電流 - 集電極截止：100 µA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：122 nF @ 25 V
輸入：標準
NTC 熱敏電阻：無
工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：模塊
供應商器件封裝：AG-62MM
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
IGBT逆變模塊IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制動模塊IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斬波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
3300V IGBT模塊型號：
FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模塊FZ1000R33HL3
IGBT模塊FZ1000R33HE3
IGBT模塊FZ1200R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HE3
IGBT模塊FZ1500R33HL3
IGBT模塊FZ1600R33HE4
IGBT模塊FZ1400R33HE4
IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D
IGBT模塊的優勢
綜合上述優勢，IGBT模塊已經成為能量轉換和電力控制領域的的組成部分，廣泛應用于電機驅動、電力傳輸、可再生能源、工業控制和醫療設備等領域。
1700V IGBT模塊型號：
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
| FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
| FZ1200R17HP4 FZ1600R17HP4 FZ1800R17HP4_B9 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9 FZ3600R17HP4 IGBT4 Fast (IHM B) 1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9 FZ2400R17HE4_B9 FZ3600R17HE4 |
特征描述
產品規格：
產品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 過載
高爬電距離和電氣間隙
符合 RoHS 標準
4 kV AC 1 分鐘絕緣
CTI > 400 的封裝
通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認證
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A，1700V半橋模塊
的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
日立IGBT模塊MBN800E33D-P
優勢：
具有高電流能力的現有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率
高功率密度
避免 IGBT 模塊并聯
通過簡化逆變器系統降低系統成本
靈活性
高的可靠性
產品應用領域：
不間斷電源（UPS）
儲能系統
電機控制和驅動
商用、建筑和農用車輛 (CAV)
變頻器
北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經銷 、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導體銷售和電力電子行業解決方案的產業鏈供應商。
銷售國內外品牌電力電子半導體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優派克、
SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飛兆半導體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；
英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應模塊；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅動、光耦、變頻器主控板、驅動板，電源板，通信板，接口板
操作面板
英飛凌IGBT模塊FZ1000R33HL3_S2
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司日立IGBT模塊MBL400E33D
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。
特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
第七代IGBT型號：
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7
