美國KemLab負性光刻膠 PKP-308PI 具有改進的分辨率、附著力、耐蝕刻性、低針孔密度，是負性光刻膠中綜合性能最佳的選擇。在使用過程中無需對光刻膠進行膜過濾。可實現微米級別的分辨率，且在生產中光刻膠工藝能保持高度可重復性。

美國KemLab負性光刻膠 HARE SOTM是一種基于環氧樹脂的負型光阻，專為聚合物MEMS、微流體、微機械加工以及其他微電子應用而設計。

美國KemLab正性光刻膠 KLT 5300是一種專為i-Line、g-Line和寬帶應用優化的正型光阻。KLT 5300具有高靈敏度和高吞吐量，適用于集成電路制造。

KemLab 正性光刻膠 KLT 6000 ，適用于 i-Line、寬帶或 g-Line 曝光。

EM Resist SU-8負性抗蝕劑產品，非常適合半導體應用。我們的產品有各種形式和厚度范圍。 典型的SU-8過程包括以下步驟： 基板準備 旋涂 松弛時間以提高表面均勻度 軟烤 曝光后烘烤 發展歷程 沖洗并干燥 可選硬烤

公司擁有齊全的納米系列壓印膠材料，熱壓型納米壓印膠、熱塑型納米壓印膠、紫外光固化型納米壓印膠、紫外光固化納米壓印和光刻兩用膠、舉離型傳遞層材料、刻蝕型傳遞層材料、各種與納米壓印技術相關的化學藥品，如模板防粘劑、基片增粘劑等。